O Efeito Hall

A expressão (8.2) também permitiu a descoberta do efeito Hall que, como veremos, é extremamente útil na indústria microeletrônica.

A figura 8.2 esquematiza o arranjo experimental para o estudo do efeito Hall. Tem-se uma fita condutora com seção reta A (=Ld) através da qual circula um feixe de elétrons com velocidade v.


Figura 8.2

Aplicando-se um campo magnético na direção horizontal, conforme indicado na figura 8.2, resulta numa força magnética na direção perpendicular ao movimento eletrônico, no sentido de cima para baixo. Esta força fará com que o movimento dos elétrons seja desviado para baixo. Com o tempo, cargas negativas acumulam-se na face inferior, e cargas positivas na face superior.

O excesso de cargas positivas e negativas, funciona como um capacitor de placas paralelas, com um campo elétrico conhecido como campo Hall. Chegará um momento em que a força Hall equilibra a força magnética,

qEH = qvB

Usando a eq. (6.3), J=nqv, e a definição da densidade de corrente, J=i/A, obtém-se


Por outro lado, EH = VH/d. Resulta daí que


Tendo em conta que a seção reta é dada por A=Ld, obtém-se
(8.4)

O efeito Hall permite a obtenção de dois resultados importantes. Em primeiro lugar, é possível determinar o sinal da carga dos portadores, bastando medir a diferença de potencial entre as superfícies superior e inferior. Em segundo lugar, a eq. (8.4) fornece o valor da densidade de portadores.

Esses dois resultados são de extrema importância na indústria eletrônica, pois permite a fabricação de dispositivos que dependem do tipo (elétrons ou lacunas) e da quantidade de portadores.


Fonte: http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod08/m_s03.html

Fonte Imagem: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/0/01/Hall_effect.png/300px-Hall_effect.png

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